电磁场 NB-IOT

PeakView是Lorentz公司开发的一款***的射频IC电磁场验证平台，内建丰富的无源器件模型库，可以进行任意物理结构的器件综合与优化，全自动的高频寄生电感提取流程，进行电磁场设计与分析。而且与PDK结合非常方便，用户可以自己一键转换工艺文件。

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（1）

对差分线布局优缺点分析，说明差分阻抗和特征阻抗的区别，给出版图布局注意事项，具体思路将按照下面过程完成：

1） 差分对两线长度差异性对信号时延，对EMI问题的影响分析；

2） 差分对是否需要屏蔽地提供回流路径分析，屏蔽地如何进行合理布局；

3） 差分阻抗、差模阻抗公式计算，以及和结果的定性比对；

4） 差分对线间距对差分阻抗的影响分析；

5） 差分对线长和线间距对信号影响的比对分析，在设计中如果二者冲突时，应如何取舍；

6） 差分对两条走线间距缩小对EMI屏蔽效果的影响，分析是否间距越小越好，是否有其他方式可以进行EMI屏蔽。

随着数据链路和内存链路的不断发展， 芯片之间的 IO 接口速度已超出 10GB/s。 但信号

带宽受到 IO 电容的严重影响， 为了消除 IO 电容造成的信号损耗， 原始的方案是使用高灵

敏度接收单元或者增添均衡器， 但这样会增加额外电路成本和功耗， 所以降低 IO 电容是一

个研究方向。

IO 电容有多个组成部分， 占比的是 ESD 结构电容（因为要提供满足要求的 ESD 容

限，导致电容较大），为了满足 2KV HBM 和 500V CDM 等 ESD 设计要求， ESD 电容很难做小，

例如， 将其降到 0.4pF 非常困难。

除了 ESD 电容外， 金属走线、 有源器件、 开关等的寄生电容对 IO 电容也有贡献， 因此，

将 IO 电容控制在 1PF 是比较困难的