相控阵潜在带宽

按照总辐射效率优化后，Optenni能给出各个损耗因素占比分析图。

●反射损耗

●器件损耗

●耦合损耗

●天线辐射损耗。

●可以选择不同频点，观察选中频点损耗因素占比情况。

●注意：只有导入天线辐射方向图数据，中才能计算天线辐射损耗占比。

按照总辐射效率优化后，Optenni能给出各个损耗因素占比分析图。

●反射损耗

●器件损耗

●耦合损耗

●天线辐射损耗。

●可以选择不同频点，观察选中频点损耗因素占比情况。

●注意：只有导入天线辐射方向图数据，中才能计算天线辐射损耗占比。

软件兼容性

支持与CST Microw***e、ANSYS HFSS、Altair FEKO、Remcom Xfdtd、SEMCAD电磁软件双向对接

支持主流LC元件模型库集成，例如：murata、TDK、***X、coilcraft、TAIYO YUDEN、Johanson等

●支持和NI AWR设计环境对接，能进行电路一键传送

●支持Keysight、Ramp;S、Anritsu等VNA仪表数据同步对接

●支持Qorvo、WiSpry等多个公司可调谐、可切换组件模型导入

频段 1 的情况挑战性更强，天线设计优化，因为它的带宽要宽得多。仔细观察图 5(a) 中的性能图可以发现，对于自由空间配置，5 nH 的孔径组件值将提供阻抗带宽

(240 Mhz)，但相应的辐射效率非常低 (30-35%)。另一方面，1 nH 孔径电感器将提供更好的辐射效率 (45-51%)，但阻抗带宽更窄 (205

MHz)。预期值在 1nH 和 5nH 之间。类似地，对于手部配置，1nH 到 5nH 之间的所有孔径组件都有足够的可用带宽，并且频段上的辐射效率也落在这些值之间。对于头部配置，阻抗带宽不是瓶颈，孔径电感值接近

5 nH 时可实现。